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SI4433DY中文资料

SI4433DY图片

SI4433DY外观图

  • 大小：48.17KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：2.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：110 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 下降时间：30 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.4 W
  • 上升时间：30 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：30 ns

SI4433DY供应商

更新时间:2023-01-07 05:35:27
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